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MMDF3N04HDR2中文资料

MMDF3N04HDR2图片

MMDF3N04HDR2外观图

  • 大小:124.76KB
  • 厂家:ONSEMI
  • 描述:ON Semiconductor [Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts]
  • 标准包装:10
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:28nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:900pF @ 32V
  • 功率 - 最大:1.39W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:剪切带 (CT)
  • 其它名称:MMDF3N04HDR2OSCT

MMDF3N04HDR2供应商

更新时间:2023-01-12 15:57:52
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